Sr Principal Engineer at Renesas Electronics

Kodaira, , Japan -

Full Time

Start Date

Immediate

Expiry Date

21 Sep, 26

Salary

0.0

Posted On

23 Jun, 26

Experience

10 year(s) or above

Remote Job

Yes

Telecommute

Yes

Sponsor Visa

Skills

GaN Technology Development, Unit Process Development, Process Integration, Wafer-level Electrical Characterization, Lithography, Etch, Deposition, Metallization, Epitaxy, Design of Experiments (DOE), HEMTs, PCM/Test Structures, DC I-V Measurements, CV Measurements, Pulsed I-V Testing, Failure Analysis

Industry

Semiconductor Manufacturing

Description

Job Description We are seeking a highly motivated GaN Technology Development Engineer to lead development of next-generation GaN power devices. This role focuses on unit process development, process integration, and wafer-level electrical characterization, driving technology from early concept through qualification and manufacturing readiness. The candidate will work cross-functionally with device design, process modules, reliability, and manufacturing teams to deliver high-performance, manufacturable GaN technologies. 1. Unit Process Development Develop and optimize GaN unit processes (e.g., lithography, etch, deposition, metallization, epitaxy) to meet device performance and reliability targets Define process conditions, materials, and metrology requirements for each module Execute Design of Experiments (DOE) and analyze results to establish robust process window Drive process characterization, including film, interface, and defect analysis 2. Process Integration Design, develop, and own end-to-end wafer fabrication flow for GaN devices Integrate process modules into a manufacturable, high-yield technology platform Define process sequences, thermal budgets, and interaction effects across modules Identify integration gaps and drive cross-functional solutions with module engineers Support technology transfer from R&D into production and ensure successful ramp 3. On-Wafer Testing & Characterization Define and implement PCM/test structures for process evaluation and device correlation Perform wafer-level electrical characterization including: DC I-V, CV measurements Pulsed I-V / reliability stress testing Correlate electrical performance to process parameters and material properties Analyze inline, electrical, and parametric data to identify yield limiters and reliability risks 4. Technology Development & Optimization Develop and optimize GaN device structures (e.g., HEMTs) to meet performance, reliability, and cost targets. Lead wafer lot experimentation, test chip evaluation, and iterative improvement cycles Perform data-driven analysis to improve yield, variation control, and manufacturability Support failure analysis and root-cause investigations Qualifications English proficiency - Can engage in business conversation (around TOEIC 700 points) Japanese proficiency - Can engage in business conversation (around JLPT Grade 2) Additional Information ルネサスは、「To Make Our Lives Easier 」（人々の暮らしを楽“ラク”にする）というPurposeの下、組み込み半導体ソリューションを提供します。高品質とシステムレベルノウハウを兼ね備えた組み込み半導体のリーダーとして、自動車、産業、インフラ・IoT分野向けに、ハイパフォーマンスコンピューティング、組み込みプロセッシング、アナログ＆コネクティビティ、そしてパワーを含めた幅広い製品ポートフォリオを軸とした、スケーラブルで包括的なソリューションを提供しています。ルネサスは、30か国以上で22,000 人を超える多様性あふれる従業員と共に、限界に挑戦しながら、デジタライゼーションを通じてユーザエクスペリエンスを充実化させ、新たなイノベーションの時代を切り開いていきます。そして世界中の人々やコミュニティの未来のために、持続可能で省エネ効果の高いソリューションの開発に全力で取り組み、「To Make Our Lives Easier」を実現します。ルネサスで実現できることキャリアをスタート、そしてキャリアアップ：4つのプロダクトグループをはじめ、さまざまな部門において技術職として、また幅広いビジネスの経験を積むことができます。ハードウェア、ソフトウェアの専門知識を深めたり、新しいことにチャレンジしたりする機会があります。やりがいとインパクトのある仕事をする：革新的な製品とソリューションの開発に関わることにより、世界中のお客様のニーズに応えると同時に、人々の生活をより便利で安全かつ安心なものにすることに貢献できます。「ウェルビーイング」に焦点を置いた環境で最大限に能力を発揮する：ルネサスでは、リモートワーク制度などによる柔軟な勤務体制づくり、また従業員リソースグループの積極的な活動をサポートするなど、インクルーシブな職場環境構築を目指しています。従業員を第一に考えたカルチャーとグローバルなサポート体制が、入社後すぐに活躍できる環境を提供します。自分の力で成功を掴み、キャリアを築く準備はできていますか？ルネサスで一緒に未来を形づくっていきましょう。当社では、ハイブリッド勤務モデルを採用しており、従業員は週に2日間リモートワークを行うことができます。同時に、残りの日はチームとしてオフィスに集まり、協働を強化しています。出社指定日は火曜日から木曜日で、イノベーション、コラボレーション、そして継続的な学習に取り組む日としています。 Employment Type: Regular (PERM) Remote Work Available: No

Responsibilities

Lead the development of next-generation GaN power devices by optimizing unit processes and managing end-to-end wafer fabrication flows. Perform wafer-level electrical characterization and data-driven analysis to improve device performance, yield, and manufacturability.