KENNZIFFER: QM 2025/3

Im Institut IFOX am HZB arbeiten wir an funktionalen oxidischen Dünnschichten und Nanostrukturen in Kombination mit Halbleitern für die energieeffiziente Informationstechnologie. Wir konzentrieren uns auf die Materialsynthese, die detaillierte strukturelle Charakterisierung mit fortschrittlichen Methoden und auf die Eigenschaften der Bauelemente für neuromorphe Computeranwendungen.
Sie werden im Rahmen des ERC Advanced Grant LUCIOLE (Layering, Understanding, Controlling, Integrating Ferroelectric Polar textures on Silicon) arbeiten.
Sie werden die verschiedenen Schritte des Wachstums von ferroelektrischen Oxiden wie BaTiO3 (und anderen Zusammensetzungen) auf Si-, Ge- und SiGe-Substraten untersuchen. Dank eines XPS-Tools, das mit dem MBE-Cluster verbunden ist, wird das Wachstum (einschließlich der allerersten Schritte der Oberflächenpassivierung) „in-system“, ohne Luftunterbrechung, untersucht. Die gewonnenen Informationen werden es ermöglichen, die Grenzflächen zum Substrat und zwischen den Schichten in Übergittern zu gestalten. Als Postdoktorand/in werden Sie eng mit den Wissenschaftler*innen zusammenarbeiten, die die Molekularstrahlepitaxie durchführen.

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